Главная Обратная связь

Дисциплины:

Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)






Нагрузочная характеристика транзистора по постоянному току



На коллекторных ВАХ транзистора задать две точки UКЭ = 15В и точку перегиба характеристики максимального тока базы IБmax рис. 5. г.

11
Выбранные точки соединить прямой линией, которая и будет нагрузочной

прямой. Она пересечет ось тока коллектора в точке IКmax.

Выбрать точку пересечения нагрузочной прямой с одной из характеристик тока базы, расположенной в средине ВАХ. Эта точка называется рабочей точкой (РТ) транзистора по постоянному току.

Спроецировать ее на оси тока IК и напряжения UКЭ. Получим ток коллектора в рабочей точке IоК и напряжение на коллекторе UоКЭ.

Величину выбранного тока базы в рабочей точке IБрт отложить на оси IБ входной характеристики (рис. 5. в), провести линию до самой характеристики и

отметить на ней рабочую точку. Спроецировать РТ на ось UБЭ и определить величину напряжения UБЭрт .

Вычислить значение нагрузочного сопротивления Rк

Rк = UКЭ/IКmax [кОм].

Режим транзистора с нагрузкой в рабочей точке свести в таблицу 2.

Таблица 2.

Параметр UБЭрт мВ UоКЭ В IБрт мкА IоК мА Rк кОм
Значение          

 

3. ОФОРМЛЕНИЕ РАБОТЫ

Рассчитанные параметры свести в таблицу 3.

Таблица 3.

h- параметры h11 = h12 = h21 = h22 = Rвх = Ri =
г - параметры гэ = гб = В = гкэ = α =

Справочные данные транзистора представить в виде таблицы 4 (на примере варианта 1).

Таблица 4.

Транзистор В (h21) IКБО мкА IЭБО мкА IК мА UКЭ В Pк.доп мВт rб Ом Cк пФ fгр мГц
КТ373А 1,0 0,5

В работе отразить:

– Номер варианта.

– Тип выбранного транзистора.

– Графическое изображение транзистора.

– Справочные данные транзистора, которые можно выписать из приложения данного руководства или из справочников.



– Исходную коллекторную и построенные входную и проходную характеристики (рис. 4). На осях указывается размерность величины и масштаб.

– На ВАХ указать характеристические треугольники, проекции катетов, приращения токов и напряжений, нагрузочную прямую.

При расчетах указывается расчетная формула, затем подставляются числовые значения, записывается окончательный результат. Обязательно проставляется размерность величин.

– Привести таблицы 1, 2, 3, 4.
12

 

– Объяснить причину различия сопротивлений Rвх и h11, и сопротивлений

Ri и 1/h22.

– Сравнить полученное значение коэффициента В со значением, указанным в справочниках.

– Привести перечень литературы.

– На титульном листе ставится подпись автора и дата.

– Оформление работы допускается в тетради школьного формата.

– При оформлении таблиц и графиков обязательно используется линейка.

Для расчета напряжения UЭБ рекомендуется составить программу для программируемого калькулятора.

 

4. ПЕРЕЧЕНЬ ЛИТЕРАТУРЫ

 

1. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высш.шк. 2000.

2. Изьюрова Г.И., Королев Г.В., Терехов В.А. и др. Расчет электронных схем. М.: Высшая школа, 1997.

3. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс", 2000.



4. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Издание 2-е, М.: Лаборатория базовых знаний. 2000.

5. Петухов В. М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение первое: Справочник. М.: Рикел, Радио и связь, 1994.

6. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник / А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь. 1996.

7. Транзисторы для аппаратуры широкого применения; Справочник/ К.М.Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И.Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. М.: Радио и связь. 1981.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ

Приложение 1

Электрические параметры транзисторов (варианты на выполнение работы)

№ Вар Транзистор В (h21) IКБО мкА IЭБО мкА IК мА UКЭ В Pк.доп мВт rб Ом Cк пФ fгр МГц
КТ373А 1,0 0,5
КТ342Б 0,3
2Т363А 0,5
КТ209Г
КТ118Б
КТ301А 0,08
КТ361Е
КТ314Г 0,5 0,5
2Т312Б 0,1
КТ326Б 0,4
2Т126Б 1,5
2Т313Б 0,5 0,5
2Т208В
КТ351Б
КТ349Б 0,7
КТ208Б
2Т117В 1,2
КТ347Б
КТ306Б 0,5
КТ308В 0,09
2Т301Г 0,1
КТ312Б 0,07
КТ361А 1.5 0,4
КТ315Б 1,5 0.9
КТ358В 0,6
КТ358Б
КТ342Г 1,5
КТ343В
КТ352А
КТ358Г 0,7

 

 

Приложение 2

Выходные (коллекторные) характеристики транзисторов.

Ток базы указан в микроамперах (10–6 А).

 

мА IК 800 мА IК 800

60 40

600

45 600 30

       
   
 
 


30 400 20 400

 
 


15 10 200 мкА

200

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ373А 2Т126Б

мА IК 1050

мА IК 1050 50

900

40 900 40

 
 


30 750 30 600

20 20 450

450

10 10 300

150 мкА

150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ358В КТ342Б

 

мА IК

мА IК 50 1050

1200

60 40

1000 750

45 30

800 600

30 20

600

15 10 300

 

200 150 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ209Г КТ306Б

 

мА IК 1200 мА IК 900

           
   
   
 
 


40 1000 40 750

       
   
 
 


30 800 30 600

 

20 600 20 450

 

10 400 10 300

       
   
 
 

 


5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

2Т312Б КТ349Б

 

мА IК 700 мА IК 800

40 600 40

 

30 500 30 600

 
 


20 300 20 400

 

200 мкА
10 10

100

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

2Т363А КТ301Г

 

мА IК 770

мА IК 50

1050 660

40 900 40

       
   
 
 


30 750 30 440

 

20 600 20 330

450

10 10 220

110 мкА

150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ352А КТ347Б

 

мА IК

мА IК

680 900

60 560 40

750

45 30

400 600

30 320 20

15 10 300

160

80 150 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

2Т313Б КТ361Е

 

мА IК 1200 мА IК

900

48 1000 48

750

36 800 36

600

24 600 24

 
 


12 400 12 300 мкА

200 150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ118Б КТ308В

 

мА IК мА IК 800

800

60 40

600

45 600 30

 
 


30 400 20 400

 
 


15 10

200 200 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ358Г КТ342Г

 

 

 

 

мА IК 1050

мА IК 50

1050 900

40 40 750

900

30 30 600


20 600 20 450

450

10 10 300

150 мкА

150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ351Б КТ314А

 

мА IК 1050

мА IК 50

900

60 1200 40

1000 750

45 30

800 600

30 20

15 400 10 300

 

200 150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ208Б 2Т117В

 

мА IК 900 мА IК 900

60 750 40 750

45 600 30 600

 

30 450 20 450

 

15 300 10 300

 

150 150 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ315Б КТ326Б

мА IК мА IК

800 800

40 40

       
 
   
 


30 600 30 600

20 400 20 400

 
 


10 10

200 200 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ301А КТ312Б

мА IК 1050

мА IК 50

1050 900

40 900 40

750

30 750 30

600 600

20 20

450

10 10 300

150

150

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

КТ358Б КТ343В

 

мА IК 800

мА IК

700

80 1200 80

600

60 1000 60

500

40 800 40

       
   
 
 


20 400 20 300

 

200 200 мкА

5 10 15 В UКЭ 5 10 15 В UКЭ

2Т208В КТ361А

 

Оглавление

1. ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРОВ 3

1.1. Биполярные транзисторы 3

1.2. Эквивалентные схемы Эберса – Молла 4

1.3. Схемы замещение и параметры транзистора 6

1.4. Формализованная модель транзистора в h – параметрах 7

1.5. Допустимые тепловые и электрические параметры транзистора 8

2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛЕНИЮ РАБОТЫ 9

2.1. Классификация и система обозначений биполярного транзистора 9

2.2. Выполнение контрольной работы 10

2.3. Определение h- параметров транзистора по характеристикам 11

2.4. Определение r-параметров 11

2.5. Оценка влияния температуры 12

2.6. Допустимая мощность рассеяния коллектора транзистора 12

2.7. Частотные свойства транзистора 12

2.8. Нагрузочная характеристика транзистора по постоянному току 13

3. ОФОРМЛЕНИЕ РАБОТЫ 13

4. ПЕРЕЧЕНЬ ЛИТЕРАТУРЫ 14

Приложение 1 15

Приложение 2 16

 

 


Просмотров 849

Эта страница нарушает авторские права

allrefrs.ru - 2020 год. Все права принадлежат их авторам!