Главная Обратная связь

Дисциплины:

Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)






Определение сенситометрических параметров фотоматериала



Методика определения сенситометрических параметров с использованием сенситометрического бланка показана на рис. 3.4 и рис. 3.6 . Рассмотрим ее подробнее.

Определение светочувствительности стандартизовано, причем формула для определения S и критерий для каждого типа фотоматериала регламентируются стандартом на данный тип Материала. Отечественные фототехнические пленки испытывают в соответствии со стандартом ГОСТ 10691.6-84, предписывающим рассчитывать светочувствительность по формуле

где - оптическая плотность неэкспонированного участка сенситограммы.

Коэффициент контрастности определяется следующим образом. Через точку К, нанесенную справа на оси логарифмов экспозиций и отстоящую от крайней правой оси на расстоянии lgH = 1,0, проводят прямую, параллельную прямолинейному участку характеристической кривой. На пересечении этой кривой с крайней правой осью находят величину D, численно равную Поэтому на крайней правой оси нанесен символ у, и эта ось является номограммой для расчета коэффициентов контрастности.

Если коэффициент контрастности больше 4,0, то его рекомендуется определять не графически, а по формуле

Точки 1 и 2, выбираемые на характеристической кривой, должны находиться на ее прямолинейном участке и быть достаточно удаленными друг от друга.

Полупроводник -материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличается от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения. Основным свойством полупроводника является увеличение электрической проводимости с ростом температуры.

Полупроводники - вещества, удельная электрическая проводимость которых меньше, чем у металлов и больше, чем у диэлектриков.


Электропроводность полупроводников:


- обеспечивается свободными электронами и дырками;
- остается постоянной в пределах области температур, специфической для каждого вида полупроводников, и увеличивается с повышением температуры;
- зависит от примесей;
- увеличивается под действием света и с возрастанием напряженности электрического поля.

По характеру проводимости:

Собственная проводимость

Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с собственной проводимостью. В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов равняется концентрации «дырок».



Проводимость связана с подвижностью частиц следующим соотношением:

где — удельное сопротивление, — подвижность электронов, — подвижность дырок, — их концентрация, q — элементарный электрический заряд (1,602·10−19 Кл).

Для собственного полупроводника концентрации носителей совпадают и формула принимает вид:

Донорные и акцепторные примеси:

Собственная проводимость полупроводников ( химически чистых полупроводников) осуществляется перемещением свободных электронов и перемещением связанных электронов на вакантные места парноэлектронных связей. Примеси, легко отдающие электроны и, следовательно, увеличивающие число свободных электронов, называются донорными (отдающими) примесями. Для германия донорной примесью будет мышьяк (As). У него 5 валентных электронов. 4 участвуют в создании ковалентных связей, а пятый - легко отрывается от атома и переходит в свободное состояние. Проводимость полупроводников, имеющих донорные примеси, называют проводимостью n-типа проводимостью (negativ - отрицательный) , как и сами такие полупроводники. Если в качестве примеси использовать полупроводник с меньшим количеством валентных электронов, например, индий по отношению к германию, то для образования нормальных (парноэлектронных) связей атома индия с соседними атомами одного электрона будет недоставать. Число дырок будет равно числу атомов примеси. Такого рода примеси называются акцепторными (принимающими) , а такая проводимость и сами полупроводники называются проводимостью р- типа проводимости (positiv - положительный) . Основными носителями зарядов в таких полупроводниках будут дырки. Вывод: донорные примеси отдают лишние валентные электроны, образуя полупроводник н- типа, а акцепторные примеси создают дырки, образуя полупроводник р-типа.



 

Фотоэффект

Фотоэффект устанавливает непосредственную связь между электрическими и оптическими явлениями.

Под действием света с поверхностей металлов и некоторых полупроводниковых материалов могут вырываться электроны. Это явление называется внешним фотоэффектом (или внешней фотоэмиссией).

В полупроводниках также наблюдаются внутренний и вентильный фотоэффекты. Внутренний фотоэффект (или фотопроводимость) - явление возникновения внутри полупроводника избыточных носителей тока (электронно-дырочных пар) при поглощении оптического излучения, в результате чего увеличивается проводимость полупроводника.

Вентильный фотоэффект наблюдается при освещении контактной области двух полупроводников n- и p-типов проводимости (p-n-переход) и состоит в возникновении фотоэлектродвижущей силы в отсутствии внешнего поля. Объясняется это следующим образом. При контакте полупроводников n- и p-типов возникает, как известно, контактная разность потенциалов (запирающий слой), таким образом в области p-n-перехода имеется встроенное внутри поле. При освещении p-n-перехода в p- и n- областях вследствие внутреннего фотоэффекта образуются электронно-дырочные пары, которые, попав в область действия p-n- перехода, будут им разделены так, что электроны перейдут в n-область, а дырки - в p-область. Избыток концентрации электронов в n-области и дырок в p-области и означает возникновение э.д.с. Если на n- и p-области нанести металлические контакты и подсоединить внешнюю нагрузку, то при освещении p-n-перехода через нее потечет электрический ток. Аналогичные явления возникают и при контакте металла с полупроводником. На описанном принципе работают фотоэлектрические преобразователи, часто называемые солнечными элементами.

Приборы, устройство которых основано на явлениях фотоэффекта, называются фотоэлементами. Фотоэлементы очень разнообразны по своей конструкции и типу и находят широкое применение в технике. Различают фотоэлементы с внешним фотоэффектом, так называемые вакуумные или газонаполненные, фотоэлементы, основанные на внутреннем фотоэффекте, - фоторезисторы и на фотоэффекте в запирающем слое - фотодиоды.

 


Эта страница нарушает авторские права

allrefrs.ru - 2019 год. Все права принадлежат их авторам!