Главная Обратная связь

Дисциплины:

Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)






Обработка результатов измерений



1. Вычислить энергию фотона излучения, пропускаемого каждым светофильтром и занести в таблицу 2.

2. Измерив значение фототока для отдельного светофильтра, поделить его на коэффициенты А и В и соответствующую длину волны , занести в таблицу 2.

3. Вычислить относительную спектральную чувствитель­ность для каждой длины волны и занести в таб­лицу.

4. Построить график зависимости относительной спектральной чувствительности от энергии фотона .

5. Построив касательную к низкоэнергетическому склону кривой этой зависимости и продолжив ее до пересечения с осью абсцисс, определить длину волны , а затем оценить ширину запрещенной зоны полупроводника по формуле

Рассчитав ширину запрещенной зоны в Дж, затем перевести в эВ ( 1эВ = 1,6 Дж.

 

Задание на учебно-исследовательскую работу

1. Рассмотреть случай образования запирающего слоя при контакте металла с полупроводником n-типа.

2.Определить толщину запирающего слоя при контакте золота (работа выхода == 4,70 эВ) с селеном (работа выхода

=4,72 эВ) для концентрации акцепторных центров

= 4,72 эВ) для концентрации акцепторных центров

n = 10 . Диэлектрическая проницаемость селена = 6. Расчетная формула для толщины запирающего слоя

,

где (заряд электрона); ,

- контактная разность потенциалов в вольтах (В).

3. Оценить погрешность определения п в упражнении 1.

4. Снять зависимость фототока Iфо от расстояния точеч­ного источника от фотоэлемента r, для чего линзу следует убрать. Поскольку Iфо ~ r (объяснить почему), то построив зависимость от , по наклону прямой можно определить п. Сравнить полученное значение п с резуль­татом упражнения 1 (г=0,06—0,14 м).

 

 

Таблица 2

Результаты измерений спектральной характеристики фотоэлемента

№ п/п Светофильтр , нм , эВ А В Iфо, мкА , мкA/нм
Красный            
Оранжевый            
Желтый            
Зеленый            
Синий            
Фиолетовый            

Контрольные вопросы



1. Что такое барьер типа Шоттки?

2. При каких условиях возникает барьер типа Шоттки при контакте металла с полупроводником n-типа? р-типа?

3. Дайте определение квантового выхода.

4. Какие физические процессы определяют скорость гене­рации неравновесных носителей?

5. Что такое показатель поглощения света?

6. Какие переходы определяют собственное поглощение полупроводника?

7. Какими переходами электронов в полупроводниках оп­ределяется частотная характеристика показателя поглоще­ния в области коротковолнового края спектральной харак­теристики?

8. Что такое интенсивность света?

9. Объясните почему при постоянной интенсивности света число фотонов, падающих на единицу площади фотоэлемента в единицу времени прямо пропорционально длине световой волны.

10. Что такое освещенность поверхности и как она зави­сит от угла падения параллельного пучка света?

11. Как зависит освещенность поверхности от угла паде­ния центрального луча и от расстояния от точечного источ­ника?

12. При каком условии можно считать, что неравновесные носители образуются одновременно во всей области контакт­ного поля барьера Шоттки?

13. Что такое спектральная чувствительность фотоэле­мента?

14. Почему происходит уменьшение спектральной чувстви­тельности фотоэлемента в области длинных волн? в области коротких волн?

 

 

Литература

1. Шалимова К. В. Физика полупроводников\ М.: Энергия, 1976. - С. 276 - 279, 404 - 405.

2. Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники\ М.: Сов. радио, 1980. - С. 176.

3. Данлэп У. Введение в физику полупроводников\ М.: Издательство иностранной литературы, 1959. - С. 395 - 399, 297 - 300, 176 - 181.

 

 

РАБОТА № 54.


Эта страница нарушает авторские права

allrefrs.ru - 2019 год. Все права принадлежат их авторам!