Главная Обратная связь

Дисциплины:

Архитектура (936)
Биология (6393)
География (744)
История (25)
Компьютеры (1497)
Кулинария (2184)
Культура (3938)
Литература (5778)
Математика (5918)
Медицина (9278)
Механика (2776)
Образование (13883)
Политика (26404)
Правоведение (321)
Психология (56518)
Религия (1833)
Социология (23400)
Спорт (2350)
Строительство (17942)
Технология (5741)
Транспорт (14634)
Физика (1043)
Философия (440)
Финансы (17336)
Химия (4931)
Экология (6055)
Экономика (9200)
Электроника (7621)






Контактная разность потенциалов термоэлектричества



Потенц. W е в одном металле>чем во втором. Часть е из 1 металла после соединения этих 2ух метал. На более низкие уровни энергии во 2ом металле=>1 мет. Теряет часть е, заряжается положительно, а 2 заряж. Отрицательно. Иллюстрация.

 

 

внутр. Контакт. Разность потенциалов,

Внутр. Контактн. Разность потенциалов.

n1,2-концентрация в ВЗ для материалов 1, 2.

Термоэлектричество.

При нагреве ,возник. Константная разность потенциалов : ; если мы находим результирующ. Величину и обозначим соотв. мы должны сложить и :

 

Явление сверхпроводимости

-действ. только для критической темп., при кот. Металл переходит в сверхпроводящее состояние. Явл-ие сверхпровод. Обнаружено Камерлинг-Онессом в 1911г для ртути.

Охлажденная ртуть дл Темп<Темп. Критической-удельное сопротивл. Скачком изменяется до 0.

Предположим, металл в узлах кот. Расположены положит. Заряжен. Ионы. В следств. Малого энергетич. Зазора между ВЗ и ЗП или их перекрывания е-проводимости могут свободно перемещаться по кристаллу.

е проводимости будут поляризовать кристал. Решетку, пытаясь сместить положит. Ионы к е. В результате происходит деформация решетки, и она увеличив. Плотность “+”зарядов в окрестностях поляризующих е-ов.=>поляризован. Область с повышенной плотностью поляризован. Заряда, в окрестн. А будет притягивать е, нах-ся в обл. В. Аналогичная обл. вокруг е В будут притягивать е обл. А, т.е. появл-ся некое электрич. Приближение между е-ми обл. А и В, в отличие от того, что они должны отталкиваться(классическая теория).Необходимо учитывать,что описываем. Нами взаимодействия, носят динамический хар-ер, т.к. е и поляриз. Нах-ся в постоянном движении в кристалле. А такое постоянное перемещение по кристаллу деформируемых областей приводит к возбуждению фононов(кванты колебат. Движения), кот. Также распространяются по кристаллу и также взаимодейст. С электронами. Фонон, возбужд. Е-ом, нах-ся в обл. А, может передать свою W-ию е-ну, нах=ся в обл. В,или наоборот такой обмен энергии е-ми, через фононы порождает так называемое обменное притяжение между е-ми, кот. При Т<Ткритич., оказыв. Значительно большим, чем электростатич. Отталкивании между е-ми.



3. Принципиальной особенностью такого притяжения явл-ся его парный хар-ер. Ибо т.о. взаимодейств. Только е с противоположно направленными спинами и теперь, при Т<Ткрит., свободные е в металле разбиваются на пары, зарядом =2*заряд электрона называющ-ся Куперовскими парами. При этом, среднее расстояние между е в такой паре составл. Величины от до ,что в раз >межатомных расстояний в кристаллах металлов. Образование куперовских пар приводит к перестройке энергетического спектра металла, т.к. неспаренные е подчиняются статистике Ферми-Дирока, а спаренные, для кот. Результирующ. Спин =0, => они не испытыв. Принципа запрета Паули, поэтому подчиняется квантовой статистике базы Эйнштейна, они могут занимать 1 состояние явл-ся энергетически наиболее выгодным, т.к. обладает наименьшей из допустимой статистикой энергией. При обычной электропроводн., е могут свободно менять свои состояния в ЗП, при взаимодейств. С фононами или дефектами решетки, результатом чего и явл-ся электрическое сопротивление.

4.Куперовские пары, под действ. электр. Поля получают направленную скорость, а также некоторо. Приращение энергии, кот. Оказыв. Одинак. Для всех пар, т.к. вероятность перехода на другие энергетич. Уровни ничтожно мала, что явл-ся следствием статистики базы Эйншт-на., то изменение энергии пар за счет их взаимодействия с тепловыми колеб-ями решетки очень маловероятно=>это значит перенос зарядо по проводнику без сопротивления е в куперовских парах, также связаны между собой величина W между е куперов. Пар=от 2 до 5 млЭВ,



Этой же величиной W-ии связаны Wп=kTкрит.,и предельные значения плотности тока в сверхпроводниках. Кинетические W-ии купер. Пар растут и достигают значений, сравнимых с энергией связи в парах. Когда Wk становится равной W-ии связи, купер. Пары распадаются и явл-ие сверхпроводимости исчезает. Предельная плотность тока, при кот. Реализуется св-во сверхпрвод., кот. Назыв. Критич. Плотности тока, достигает в современ. Сверхпроводн. Значения : , что в раз > чем у самых хороших не сверхпроводящих проводников.

5. Эффекты эл-ой индукции, запрещают возникновению магнитного поля в сверхпроводнике. Допустим, магнитное поле в сверхпроводн. =значению индукции какой-то В, Поле, будучи обусловленное внешним напряжен. Возросло. При этом, согласно законам электромагнетизма должен появиться индукционный ток. По правилу Ленца этот индукционный ток также создает магн. Поле, кот. Ослабляет внешнее магнитное поле. А поскольку сверхпроводниковые индукционные токи возник. Без сопротивления, то любое увелич-ие магн-го поля вызывает индукционный ток, кот. Полностью компенсирует внешнее поле. Этот компенсируюз. Индукцион. Ток, кот. Поддержив.-назыв. Экранируемым.

По мере увелич. индукции внешнего поля увелич. и этот экранирующ. Ток, тогда, когда плотность экранир. Тока достигает критич. Величины, сверх-проводн. Также исчезает. Для данного конекретного сверхпроводника критич. Ток и индукция уменьш. С увелич. Т по мере напряжения Ткрит., и ток и индукция стремятся к нулю.

Изготовл. электромагнитов. С помощью кот. Создаются сверх-сильные магнитные поля. Также сверхпровод. Материалы применяются в создании электро-генераторов их КПД высок.

 

 


Просмотров 375

Эта страница нарушает авторские права

allrefrs.ru - 2020 год. Все права принадлежат их авторам!